Характеристики и параметры полупроводникового стабилитрона

Дата добавления: 2014-05-29 | Просмотров: 1615

Стабилитрон – это полупроводниковый диод, сконструированный для работы в режиме электрического пробоя.

В указанном режиме при значительном изменении тока стабилитрона напряжение изменяется незначительно. В разных типах стабилитронов может иметь место туннельный, лавинный или смешанный тип электрического пробоя. В низковольтных, (до 5,7 В) стабилитронах имеет место туннельный пробой, а в высоковольтных – лавинный пробой.

Основные параметры стабилитрона:

U_ст – напряжение стабилизации (при заданном токе в режиме пробоя);

I_ст.мин – минимально допустимый ток стабилизации;

I_{ст.макс} – максимально допустимый ток стабилизации;

Рисунок 6.2. Типовая ВАХ стабилитрона

r_ст = dU/dI.– дифференциальное сопротивление стабилитрона (на участке пробоя), типовое значение – единицы - десятки Ом;

a_ст = dU_ст./dT (В/^oC) - температурный коэф. напряжения стабилизации;

Величины U_ст, I_ст.мин и I_{ст.макс} принято указывать как положительные.

Не рекомендуется использовать стабилитрон при обратном токе, меньшем по модулю, чем I_ст.мин, так как стабилизация напряжения при этом будет неудовлетворительной. Если же обратный ток по модулю превысит I_{ст.макс}, то стабилитрон может перегреться, начнется тепловой пробой и прибор выйдет из строя. Чем меньше величина r_ст, тем лучше стабилизация напряжения.

Рисунок 6.3. Схема параметрического стабилизатора